859平成28年度「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」

新規の公募で,「省エネルギー社会の実現に向けて,窒化ガリウム(GaN)等の次世代半導体に関して,材料創製からデバイス化・システム応用までの研究開発を一体的に行う研究開発拠点を構築し,理論・シミュレーションも活用した基礎基盤研究を実施することにより,実用化に向けた研究開発を加速することを目的」とした事業である(→http://www.mext.go.jp/b_menu/boshu/detail/1368524.htm)。
14件の応募から6件が採択された。

区分 機関名
中核拠点実施機関 名古屋大学
パワーデバイス・システム領域実施機関 名古屋大学
評価基盤領域実施機関 国立研究開発法人物質・材料研究機構
フィージビリティスタディ(FS)実施機関 東京工業大学
- 名城大学
- 東京大学